參數(shù)資料
型號: NTB30N06LT4G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 08/Apr/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 46 毫歐 @ 15A,5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 25V
功率 - 最大: 88.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: NTB30N06LT4GOS