參數(shù)資料
型號(hào)： NP88N04MHE
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： NP88N04MHE
Data Sheet D14236EJ8V0DS
2
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Drain to Source Voltage (V
GS
= 0 V)
V
DSS
40
V
Gate to Source Voltage (V
DS
= 0 V)
Drain Current (DC)
(T
C
= 25
°
C)
Note1
Drain Current (pulse)
Note2
V
GSS
±
20
±
88
±
352
V
I
D(DC)
A
I
D(pulse)
A
Total Power Dissipation (T
A
= 25
°
C)
Total Power Dissipation (T
C
= 25
°
C)
P
T1
1.8
W
P
T2
288
W
Channel Temperature
T
ch
175
°
C
°
C
Storage Temperature
Single Avalanche Current
Note3
Single Avalanche Energy
Note3
T
stg
55 to
+
175
I
AS
75/88
A
E
AS
562/232
mJ
Notes 1.
Calculated constant current according to MAX. allowable channel temperature.
2.
PW
≤
10
μ
s, Duty cycle
≤
1%
3.
Starting T
ch
= 25
°
C, V
DD
= 20 V, R
G
= 25
Ω
, V
GS
= 20
→
0 V (see
Figure
4.
)
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
R
th(ch-C)
0.52
°
C/W
°
C/W
Channel to Ambient Thermal Resistance
R
th(ch-A)
83.3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP88N04MHE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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