參數(shù)資料
型號(hào)： NP86N04NHE
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： NP86N04NHE
Data Sheet D14235EJ4V0DS
2
NP86N04EHE, NP86N04KHE, NP86N04CHE, NP86N04DHE, NP86N04MHE, NP86N04NHE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Drain to Source Voltage (V
GS
= 0 V)
V
DSS
40
V
Gate to Source Voltage (V
DS
= 0 V)
Drain Current (DC) (T
C
= 25
°
C)
Note1
Drain Current (Pulse)
Note2
V
GSS
±
20
±
86
±
344
V
I
D(DC)
A
I
D(pulse)
A
Total Power Dissipation (T
C
= 25
°
C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25
°
C)
P
T
230
W
P
T
1.8
W
Channel Temperature
T
ch
175
°
C
°
C
Storage Temperature
Single Avalanche Current
Note3
Single Avalanche Energy
Note3
T
stg
55 to
+
175
I
AS
86/67/24
A
E
AS
74/450/580
mJ
Notes 1.
Calculated constant current according to MAX. allowable channel temperature.
2.
PW
≤
10
μ
s, Duty cycle
≤
1%
3.
Starting T
ch
= 25
°
C, V
DD
= 20 V, R
G
= 25
Ω
, V
GS
= 20
→
0 V (see
Figure 4.
)
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
R
th(ch-C)
0.65
°
C/W
°
C/W
Channel to Ambient Thermal Resistance
R
th(ch-A)
83.3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP86N04NHE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP88N04MHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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參數(shù)描述
NP86N04NHE-S18-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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NP88N03KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N03KUG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP88N03KUG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,30V/88A
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