參數(shù)資料
型號： NP86N04MHE
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 221K
代理商： NP86N04MHE
Data Sheet D14235EJ4V0DS
5
NP86N04EHE, NP86N04KHE, NP86N04CHE, NP86N04DHE, NP86N04MHE, NP86N04NHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
Pulsed
6
3
1
2
1000
100
10
1
0.1
4
5
T
A
=
55
°
C
25
°
C
75
°
C
150
°
C
175
°
C
2
400
320
240
160
80
0
0.8
0
1.2
1.6
0.4
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
Pulsed
V
GS
= 10 V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
I
D
- Drain Current - A
f
V
= 10 V
Pulsed
0.01
0.1
1
10
10
100
0.01
0.1
1
75
°
C
25
°
C
55
°
C
T
A
= 175
°
C
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
Ω
0
5
10
10
15
20
Pulsed
I
D
= 43 A
0
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
Ω
5
10
1
10
15
100
1000
Pulsed
0
V
GS
= 10 V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
V
G
1.0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.0
3.0
4.0
50
0
50
100
150
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP86N04MHE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP86N04NHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP86N04NHE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP88N04MHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04MHE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NP86N04MHE-S18-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP86N04NHE 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP86N04NHE-S18-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP88N03KDG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP88N03KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*