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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NP84N075KUE |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | NP84N075KUE |
Data Sheet D14675EJ4V0DS
5
NP84N075EUE, NP84N075KUE, NP84N075CUE, NP84N075DUE, NP84N075MUE, NP84N075NUE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
10
1
0.1
100
1000
Pulsed
2
3
4
5
7
6
T
A
=
55
°
C
25
°
C
75
°
C
150
°
C
175
°
C
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
8
400
320
240
160
80
0
4
Pulsed
V
GS
=
10 V
0
6
2
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
I
D
- Drain Current - A
f
V
= 10 V
Pulsed
0.01
0.1
1
10
10
100
0.01
0.1
1
= 175
°
C
25
°
C
55
°
C
T
A
°
C
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
Ω
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
10
Pulsed
I
D
= 42 A
0
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
Ω
10
10
1
20
30
100
1000
Pulsed
0
V
GS
= 10 V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
V
G
1.0
V
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.0
3.0
4.0
50
0
50
100
150
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP84N075KUE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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參數(shù)描述 |
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| NP84N075NUE | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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