- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361131 > NP84N075KUE-E2-AY (NEC Corp.) MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NP84N075KUE-E2-AY |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | NP84N075KUE-E2-AY |
Data Sheet D14675EJ4V0DS
8
NP84N075EUE, NP84N075KUE, NP84N075CUE, NP84N075DUE, NP84N075MUE, NP84N075NUE
5)TO-220 (MP-25K)
6)TO-262 (MP-25SK)
4
2
±
10.0
±
0.2
3.8
±
0.2
φ
6
±
4.45
±
0.2
1.3
±
0.2
0.8
0.1
0.5
±
0.2
2.5
±
0.2
1.27
±
0.2
3
±
1
1
2
3
1
±
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4
1
2
3
10.0
±
0.2
4.45
±
0.2
1.3
±
0.2
1
±
0.8
±
0.1
1.27
±
0.2
0.5
±
0.2
2.5
±
0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1
±
8
±
1
±
3
±
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Source
Body
Diode
Gate
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP84N075MUE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N075CUE-S12-AZ | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N075DUE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N075DUE-S12-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP86N04CHE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NP84N075MUE | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N075MUE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 84A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP84N075NUE | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N075NUE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 84A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP84W | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 4-G, 4) DUP, WH |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。