| 型號： | NMSD200B01-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363 |
| 其它圖紙： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 二極管（隔離式） |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 歐姆 @ 50mA，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝： | SOT-363 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | NMSD200B01DIDKR NMSD200B01DKR NMSD200B01DKR-ND |