Figure 10. Charge In" />
參數(shù)資料
型號: NLAS4684FCT1
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 13/14頁
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH DUAL SPDT 10MICROBUMP
產(chǎn)品變化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
標準包裝: 3,000
功能: 開關(guān)
電路: 2 x SPDT
導通狀態(tài)電阻: 800 毫歐
電壓電源: 單電源
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源: 200nA
工作溫度: -55°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-UFBGA,F(xiàn)CBGA
供應商設備封裝: 10-MicroBump
包裝: 帶卷 (TR)
NLAS4684
http://onsemi.com
8
Figure 9. Voltage in Threshold on Logic Pins
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
02
4
6
Figure 10. Charge Injection versus Vis
VCC (V)
THRESHOLD
VOL
TAGE
(V)
Threshold Falling
Threshold Rising
800
600
400
200
0
200
02
4
6
Vin (V)
NO, VCC = 5 V
NC, VCC = 5 V
0
10
20
30
40
50
60
70
55
30
5
2045
7095
120
TEMPERATURE (°C)
T
on
/T
o
ff(ns)
Toff 5.0 V
Ton 5.0 V
Toff 3.0 V
Ton 3.0 V
Toff 2.5 V
Ton 2.5 V
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
55
545
95
Comm / Closed Switch
Open Switch
1
TEMPERATURE (°C)
NO/NC
CURRENT
LEAKAGE
(nA)
Figure 11. Ton / Toff Time versus
Temperature
Figure 12. Ton / Toff Time versus Temperature
Figure 13. NO/NC Current Leakage Off and On,
VCC = 5 V
CHARGE
INJECTION
“Q”
(pC)
Figure 14. ICC Current Leakage versus
Temperature VCC = 5.5 V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
55
545
95
TEMPERATURE (°C)
I CC
CURRENT
LEAKAGE
(nA)
0
10
20
30
40
50
60
70
1.8
2.8
3.8
4.8
VCC TEMPERATURE (°C)
T
on
/T
o
ff(ns)
Toff
Ton
80
90
100
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NLAS4684MNR2G 功能描述:模擬開關(guān) IC Dual SPDT 0.5ohm Sw. Low R(on) Ind. Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻(最大值):0.1 Ohms 切換電壓(最大): 開啟時間(最大值): 關(guān)閉時間(最大值): 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16