參數(shù)資料
型號(hào)： NIS6111QPT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： BERS IC (Better Efficiency Rectifier System)
中文描述： 30 A, 24 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 488AC-01, LLP-32
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： NIS6111QPT1G
NIS6111
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise noted.)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage (V
K
to V
A
)
V
RRM
24
V
Peak Regulator Input (Reg In) Voltage
Vreg
max
28
V
Average Rectified Forward Current
I
FAV
30
A
Non
repetitive Peak Surge Current
I
FSM
90
A
Analog Die Thermal Resistance (Min Copper Area)
A j
a
83
°
C/W
MOSFET Die Thermal Resistance (Min Copper Area)
M j
a
78
°
C/W
Analog Die Thermal Resistance (Junction
to
Top of Board)
A j
t
4.9
°
C/W
MOSFET Die Thermal Resistance (Junction
to
Top of Board)
M j
t
0.6
°
C/W
Analog Die Thermal Resistance (Junction
to
Bottom of Board) (Note 4)
A j
b
30
°
C/W
MOSFET Die Thermal Resistance (Junction
to
Bottom of Board) (Note 4)
M j
b
7.0
°
C/W
Storage Temperature Range
T
stg
55 to 150
°
C
Operating Temperature Range
T
J
40 to 125
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values
(not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage
may occur and reliability may be affected.
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PDF描述
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