參數(shù)資料
型號(hào): NIS5132MN3TXG
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大?。?/td> 258K
描述: IC ELECTRONIC FUSE 12V 10-DFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
功能: 電子保險(xiǎn)絲
輸入電壓: 9 V ~ 18 V
電流 - 輸出: 3.6A
工作溫度: -40°C ~ 150°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-DFN(3x3)
包裝: 帶卷 (TR)
NIS5132 Series
http://onsemi.com
6
7.4
7.6
7.8
8
8.2
8.4
8.6
8.8
9
50    25
0
25
50
75
100    125    150
TEMPERATURE (癈)
Figure 6. UVLO TurnOn
0.72
0.74
0.76
0.78
0.8
0.82
0.84
0.86
50    25
0
25
50
75
100    125  150
TEMPERATURE (癈)
Figure 7. UVLO Hysteresis
14.5
14.6
14.7
14.8
14.9
15
15.1
15.2
15.3
50    25
0
25
50
75
100    125    150
TEMPERATURE (癈)
Figure 8. Output Clamping Voltage
(MN1 & MN2 only)
0.85
0.9
0.95
1
1.05
50    25
0
25
50
75
100    125  150
TEMPERATURE (癈)
Figure 9. Output Voltage dv/dt Rate
Figure 10. Input Transient Response
0
400
800
1200
1600
0.5
0.6
0.7
0.8
Figure 11. Body Diode Forward
Characteristics
FORWARD VOLTAGE (V)
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