參數(shù)資料
型號(hào)： NID5003N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護(hù)FET)
中文描述： 自我保護(hù)，過熱及電流限制場(chǎng)效應(yīng)管（帶溫度和電流限制的自保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 50K
代理商： NID5003N
NID5003N
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C01
ISSUE O
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.180
0.025
0.020
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.57
0.63
0.51
0.89
3.93
MAX
6.22
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.040
0.050
5.45
1.01
1.27
1
2
3
4
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
SOLDERING FOOTPRINT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NID5003NT4 42 V, 20 A, Single N−Channel, DPAK
NID6002N Self(自保護(hù)型FET（帶過溫和過流保護(hù)）)
NIF5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護(hù)FET)
NIMD6302R2 HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NID5003NT4 功能描述:MOSFET 42V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NID5003NT4G 功能描述:MOSFET 42V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NID5004NT4G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC POWER MICROINTEGRAT RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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