參數(shù)資料
型號(hào)： NGD18N40CLBT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
中文描述： 15 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： NGD18N40CLBT4
NGD18N40CLBT4
http://onsemi.com
5
V
TH
4
σ
TEMPERATURE (
°
C)
G
50
50
70
10
10
90
30
130 150
V
TH
+ 4
σ
V
TH
GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.2
0
2
0.6
1
1.6
10000
1000
100
10
0
6
4
0
50
8
10
12
Figure 7. CollectortoEmitter Voltage versus
GatetoEmitter Voltage
Figure 8. Capacitance Variation
Figure 9. Gate Threshold Voltage versus
Temperature
Figure 10. Minimum Open Secondary Latch
Current versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
I
L
,
Figure 11. Typical Open Secondary Latch
Current versus Temperature
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Inductive Switching Fall Time
versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
C
S
μ
s
0
120
60
40
20
140
180
50
50
75
25
0
100
25
125
10
20
5
15
0
25
30
T
J
= 150
°
C
175
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
L = 6 mH
200
80
100
160
50
70
30
10
90
30
130 150
t
f
V
CC
= 300 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
I
C
= 10 A
L = 300
μ
H
C
rss
C
iss
C
oss
2.5
3
6
7
5
8
4
9
1
0.5
2
0
3
1.5
10
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
C
1
30
110
0.4
0.8
1.4
1.8
150
L = 3 mH
L = 1.8 mH
TEMPERATURE (
°
C)
I
L
,
50
50
75
25
0
100
25
125
10
20
5
15
0
25
30
175
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5.0 V
R
G
= 1000
L = 6 mH
150
L = 3 mH
L = 1.8 mH
2
10
110
t
d(off)
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PDF描述
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