參數(shù)資料
型號(hào): NEZ5964-15DD
廠商: NEC Corp.
英文描述: 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述: 15瓦C波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/12頁(yè)
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代理商: NEZ5964-15DD
15 W C-BAND Po GaAs FET NEZ SERIES
3
15W PERFORMANCE SPECIFICATIONS (T
A
= 25 C, Zs = ZL = 50
)
p1dB
G
L
I
DS
G
L
IM
3
η
add
TEST CONDITIONS
PART NUMBER
(dBm)
*1
(dB)
(A)
*2
(dB)
*3,4
(dBc)
*4
(%)
V
DS
I
DS
*5
FREQUENCY
BAND
IM
3
TEST
FREQ.
MIN.
TYP.
MIN.
TYP.
TYP. MAX. MAX. TYP. MAX. TYP.
(V)
(A)
(GHz)
(GHz)
*6
NEZ3642-15D
41.5
42.5
9.0
10.0
4.8
6.0
35
10
4.0
3.6 to 4.2
NEZ3642-15DD
41.5
42.5
9.0
10.0
4.8
6.0
1.0
–42
35
10
4.0
3.6 to 4.2
4.2
NEZ4450-15D
41.5
42.5
9.0
10.0
4.8
6.0
35
10
4.0
4.4 to 5.0
NEZ4450-15DD
41.5
42.5
9.0
10.0
4.8
6.0
1.0
–42
35
10
4.0
4.4 to 5.0
5.0
NEZ5964-15D
41.5
42.5
8.0
9.0
4.8
6.0
33
10
4.0
5.9 to 6.45
NEZ5964-15DD
41.5
42.5
8.0
9.0
4.8
6.0
1.0
–42
33
10
4.0
5.9 to 6.45
6.45
NEZ6472-15D
41.5
42.5
6.5
7.5
4.8
6.0
31
10
4.0
6.4 to 7.2
NEZ6472-15DD
41.5
42.5
6.5
7.5
4.8
6.0
1.0
–42
31
10
4.0
6.4 to 7.2
7.2
NEZ7785-15D
41.5
42.5
6.0
7.0
4.8
6.0
27
10
4.0
7.7 to 8.5
Notes *1
Output power at 1 dB gain compression point
I
DS
values are specified at P1dB point.
Gain flatness
Applies to –15DD option only
RF OFF
IM
3
test conditions:
f = 10 MHz, 2 tones test, P
O
= 31.5 dBm (single carrier level)
*2
*3
*4
*5
*6
MAXIMUM OPERATING LIMITS
Rg max. (
)
V
DS
max. (V)
50
10
Rg max is the maximum series resistance between the gate supply and the FET gate.
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PDF描述
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