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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NEZ4450-15DD |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 15瓦C波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | NEZ4450-15DD |
15 W C-BAND Po GaAs FET NEZ SERIES
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
P
T
0
110
T
C
- Case Temperature - C
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
(dBm)
45
20
P
in
- Input Power - dBm
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
20
45
P
in
- Input Power - dBm
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100 125 150 175 200
–15D/–15DD
Infinite Heat sink
P
out
I
D
40
35
30
I
D
(A)
6
5
4
3
EFF
(%)
25
30
35
50
40
30
20
10
0
40
35
30
P
out
(dBm)
I
D
(A)
6
5
4
3
EFF
(%)
50
40
30
20
10
0
P
out
I
D
EFF
EFF
25
30
35
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
P
out
(dBm)
45
25
P
in
- Input Power - dBm
P
out
I
D
40
35
30
I
D
(A)
5
4
3
2
EFF
(%)
30
35
40
50
40
30
20
10
0
EFF
NEZ3642-15D/15DD
Test Conditions:
Freq = 3.9 (GHz),
V
DS
= 10.0 (V),
I
DS
= 4.0 (A)
P
out
: P
in
= 35.0 (dBm),
G
L
: P
in
= 24.0 (dBm),
R
g
= 50 (
)
Test Conditions:
Freq = 4.7 (GHz),
V
DS
= 10.0 (V),
I
DS
= 4.0 (A)
P
out
: P
in
= 37.0 (dBm),
G
L
: P
in
= 26.0 (dBm),
R
g
= 50 (
)
NEZ4450-15D/15DD
NEZ5964-15D/15DD
Test Conditions:
Freq = 6.2 (GHz),
V
DS
= 10.0 (V),
I
D
= 4.0 (A)
R
g
= 50 (
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NEZ7785-15D | 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NEZ5964-15D | 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NEZ5964-15DD | 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NEZ4450-4BD | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET |
| NEZ4450-4D | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NEZ4450-4DD | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NEZ4450-8B | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:C-BAND POWER GAAS MESFET |
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