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參數(shù)資料
| 型號： | NE850R599A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
| 中文描述： | C波段中功率GaAs MESFET器件 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NE850R599A |
NE850R599A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
DSX
Drain to Source Voltage
V
GDX
Gate to Drain Voltage
V
GSX
Gate to Source Voltage
I
DS
Drain Current
I
GS
Gate Current
P
T
Total Power Dissipation
T
CH
Channel Temperature
T
STG
Storage Temperature
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in
permanent damage.
UNITS
V
V
V
mA
mA
W
°
C
°
C
RATINGS
15
-18
-12
I
DSS
3.0
3.0
175
-65 to +175
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25C)
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
O
O
Input Power, P
IN
(dBm)
10
15
20
30
25
20
15
P
OUT
I
D
V
D
= 10 V, f = 7.2 GHz
I
= 100 mA set
Rg = 1K
140
I
D
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters
4590 Patrick Henry Drive
Santa Clara, CA 95054-1817
(408) 988-3500
Telex 34-6393
FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only)
Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
01/14/2000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NEA0151330SP-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151330B0-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151330BP-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151330S0-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151331B0-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE851M03 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M03-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M03-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M03-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M13 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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