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參數資料
| 型號： | NE680 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數： | 17/19頁 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | NE680 |
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
NE68000 (CHIP)
(Chip Thickness: 160
μ
m)
PACKAGE OUTLINE 18
PACKAGE OUTLINE 18
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 19
PACKAGE OUTLINE 19
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 30
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PIN CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
PACKAGE OUTLINE 35
(MICRO-X)
PIN CONNECTIONS
1.Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
PACKAGE OUTLINE 30
NE680 SERIES
0.13
BASE
EMITTER
30
φ
0.060.35
±
0.01
0.35
±
0.01
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.3
(L -0.05
0.3
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
4
0.4
+0.10
1.3
+0.10
0.65
0.65
0.60
0.65
1.6
±
0.1
0.8
±
0.1
1
2
3
0.3 -0.05
LEAD 3 ONLY
0.2 0
-
1.0
0.6
0.75
±
0.05
0 to 0.1
0.15 -0.05
1.6
±
0.1
0.5
0.3 -0.05
(ALL LEADS)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.15
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
0.65
1.3
MARKING
ALL LEADS
0.5
±
0.06
C
45
2.55
±
0.2
φ
2.1
0.55
1.8 MAX
+0.06
-0.04
0.1
E
B
E
0.6
4
0.8
3
1.7
2
1.25
1
1.3
3
2
1.0
0.5
0.6
1
0.6
1.7
3
2
1.3
0.65
0.8
1
0.6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68018-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68019-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68030-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68033-T1B | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE68000 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68018 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68018-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68018-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68018-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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