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型號(hào):
NE5517DR2
廠商:
ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù):
5/15頁(yè)
文件大小:
0K
描述:
IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
產(chǎn)品變化通告:
Product Obsolescence 11/Feb/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝:
2,500
放大器類(lèi)型:
跨導(dǎo)
電路數(shù):
2
輸出類(lèi)型:
推挽式
轉(zhuǎn)換速率:
50 V/µs
增益帶寬積:
2MHz
電流 - 輸入偏壓:
400nA
電壓 - 輸入偏移:
400µV
電流 - 電源:
2.6mA
電流 - 輸出 / 通道:
650µA
電壓 - 電源,單路/雙路(±):
4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V
工作溫度:
0°C ~ 70°C
安裝類(lèi)型:
表面貼裝
封裝/外殼:
16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:
16-SOIC
包裝:
帶卷 (TR)
LTC1992HMS8
IC AMP DIFF I/O ADJ OUT 8-MSOP
AS168X-CB1DF040
CIRCUIT BRKR THERMAL 4.0A 1POLE
NE5532AD8R2
IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
NE5532AD8
IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
AS168X-CB1DF005
CIRCUIT BRKR THERMAL 0.5A 1POLE
NE5517DR2G
功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517D-T
制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier
NE5517N
功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517NG
功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5520279A
功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray