參數(shù)資料
型號(hào)： NE5517DR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 運(yùn)算放大器
英文描述： Dual Operational Transconductance Amplifier
中文描述： DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO16
封裝： SOIC-16
文件頁(yè)數(shù)： 12/14頁(yè)
文件大?。?/td> 194K
代理商： NE5517DR2
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
12
+V
CC
+
NE5517/A
V
OUT
9
V
CC
INT
+V
CC
INT
V
C
800pF
+
NE5517/A
+V
CC
V
CC
800pF
V
CC
6
11
3
2
1
5
7
13
15
14
12
10
16
LOW
BANDPASS OUT
Figure 31. State Variable Filter
10k
1k
20k
20k
5.1k
1k
15k
20k
5.1k
+V
CC
+
NE5517/A
V
OUT2
V
CC
INT
+V
CC
INT
+
NE5517/A
+V
CC
V
CC
V
CC
6
11
4
3
5
7
14
13
12
10
V
OUT1
GAIN
1
16
V
C
C
0.1 F
8
INT
+V
CC
9
Figure 32. TriangleSquare Wave Generator (VCO)
30k
20k
47k
10k
I
B
NOTE:
VPK
(VC
0.8) R1
R2
R1
TH
2VPKx C
IB
TL
2VPKxC
IC
fOSC
IC
2VPKxCIC
IB
+V
CC
+
NE5517/A
V
OUT2
INT
V
CC
+V
CC
INT
+
NE5517/A
+V
CC
V
CC
V
CC
6
11
4
3
5
7
14
13
12
10
V
OUT1
1
16
V
C
C
0.1 F
8
INT
+V
CC
2
R
1
R
2
I
C
Figure 33. Sawtooth Pulse VCO
470k
30k
20k
30k
47k
30k
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE5517NG Dual Operational Transconductance Amplifier
NE5517ANG Dual Operational Transconductance Amplifier
NE5532AD8G Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier
NE5532AD8R2 Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier
NE5532AD8R2G Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE5517DR2G 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517D-T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier
NE5517N 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
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NE5520279A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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