| 型號: | NE5517AN |
| 廠商: | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù): | 15/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述: | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
| 產(chǎn)品變化通告: | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 標準包裝: | 25 |
| 放大器類型: | 跨導 |
| 電路數(shù): | 2 |
| 輸出類型: | 推挽式 |
| 轉(zhuǎn)換速率: | 50 V/µs |
| 增益帶寬積: | 2MHz |
| 電流 - 輸入偏壓: | 400nA |
| 電壓 - 輸入偏移: | 400µV |
| 電流 - 電源: | 2.6mA |
| 電流 - 輸出 / 通道: | 650µA |
| 電壓 - 電源,單路/雙路(±): | 4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V |
| 工作溫度: | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | 16-DIP(0.300",7.62mm) |
| 供應商設(shè)備封裝: | 16-DIP |
| 包裝: | 管件 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS168X-CB1DG005 | CIRCUIT BRKR THERMAL 0.5A 1POLE |
| 0459848381 | CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 3.18MM |
| MCP6L71RT-E/OT | IC OPAMP 2.0MHZ 2.0V SOT23-5 |
| NE5230DR2 | IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC |
| AS168X-CB1DG015 | CIRCUIT BRKR THERMAL 1.5A 1POLE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE5517AN,602 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| NE5517ANG | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517D | 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517DG | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517DR2 | 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |