參數(shù)資料
型號(hào): NE521DG
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 比較器
英文描述: High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
中文描述: DUAL COMPARATOR, 10000 uV OFFSET-MAX, 9.6 ns RESPONSE TIME, PDSO14
封裝: LEAD FREE, SOIC-14
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大?。?/td> 131K
代理商: NE521DG
NE521
http://onsemi.com
2
LOGIC FUNCTION TABLE
V
ID
(A
+
, B)
Strobe S
Strobe G
Output (Y)
V
ID
V
OS
H
H
L
V
OS
< V
ID
< V
OS
H
H
Undefined
V
ID
V
OS
H
H
H
X
L
X
H
X
X
L
H
Figure 1. Block Diagram
(12)
INPUT 2A
(11)
INPUT 2B
(9)
OUTPUT 3Y
(8)STROBE 2G
(1)
(2)
(4)
(5)
INPUT 1A
INPUT 1B
OUTPUT 1Y
STROBE 1G
(6)
STROBE S
Q11
V+
14
2
+
1
V
13
R2
R1
Q2
Q1
Q4
Q3
D7
Q9
R4
Q10
Q8
R5
R3
D6
R17
Q6
R16
Q5
Q13
R15
R6
R9
Q19
Q7
R14
5
D2
Q25
R20
6
R21
Q26
Q30
R24
R23
Q27
Q29
Q28
R25
7
12
+
11
V+
R8
Q16
Q15
Q14
R12
R11
Q18
R10
Q17
D4
Q20
Q21
R7
D5
Q22
Q23
R18
R19
D3
8
Q24
Q31
R26
Q32
R27
R28
Q36
R29
R30
Q32
Q35
9
Q34
R34
R22
4
Figure 2. Equivalent Schematic
D1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE521DR2 High&#8722;Speed Dual&#8722;Differential Comparator/Sense Amp
NE521DR2G High&#8722;Speed Dual&#8722;Differential Comparator/Sense Amp
NE521NG High&#8722;Speed Dual&#8722;Differential Comparator/Sense Amp
NE5230DG Low Voltage Operational Amplifier
NE5500179A SILICON POWER MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE521DR2 功能描述:校驗(yàn)器 IC Dual Diff Comparator RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品: 比較器類型: 通道數(shù)量: 輸出類型:Push-Pull 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.1 V 補(bǔ)償電壓(最大值):6 mV 電源電流(最大值):1350 nA 響應(yīng)時(shí)間: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-70-5 封裝:Reel
NE521DR2G 功能描述:校驗(yàn)器 IC Dual Diff Comparator Sense Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品: 比較器類型: 通道數(shù)量: 輸出類型:Push-Pull 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.1 V 補(bǔ)償電壓(最大值):6 mV 電源電流(最大值):1350 nA 響應(yīng)時(shí)間: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-70-5 封裝:Reel
NE521D-T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog Comparator
NE521F 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
NE521F-B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog Comparator