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參數(shù)資料
| 型號： | NE42484A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NONLINEAR MODEL |
| 中文描述： | 非線性模型 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | NE42484A |
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 16 GHz
V
DS
= 1 V to 3.5 V, I
D
= 10 mA to 40 mA
11/15/96
SCHEMATIC
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -2/97
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
NONLINEAR MODEL NE42484A
CGD_PKG
0.001pF
DRAIN
RD_PKG
LD_PKG
LS_PKG
0.1nH
RS_PKG
0.2 ohms
CSD_PKG
CCD_PKG
0.1pF
CCG_PKG
0.14pF
CSG_PKG
0.01pF
0.01pF
SOURCE
0.2 ohms
0.3nH
0.03nH
LD
42400
LG
LG_PKG
RG_PKG
GATE
0.5 ohms
0.28nH
0.29nH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NE52118-T1 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE425S01 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE425S01_98 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE425S01-T1B | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE425S01-T1B-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA 4-Pin Case S01 T/R |
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