參數(shù)資料
型號(hào)： NE33284A-T1A
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： L至X波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： NE33284A-T1A
NE33284A
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Gate to Source Leak Current
I
GSO
0.5
10
μ
A
V
GS
= –3 V
Saturated Drain Current
I
DSS
15
40
80
mA
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
–0.2
–0.8
–2.0
V
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
μ
A
Transconductance
g
m
45
70
mS
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
Noise Figure
NF
0.75
1.0
dB
f = 12 GHz
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
0.35
0.45
f = 4 GHz
Associated Gain
G
a
9.5
10.5
dB
f = 12 GHz
13.0
15.0
f = 4 GHz
PRECAUTION:
Avoid high static voltage and electric fields, because this device is Hetero Junction field effect
transistor with AlGaAs shottky barrier gate.
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PDF描述
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