參數(shù)資料
型號(hào)： NE33284A-SL
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： L至X波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： NE33284A-SL
NE33284A
7
Noise Parameters
<TYPICAL CONSTANT NOISE FIGURE CIRCLE>
<
Γ
opt
. vs. frequency>
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–2.0
∞
2.0
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
1.0
f = 4 HGz
Γ
opt.
1 dB
2 dB
1.5 dB
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–2.0
∞
2.0
1.0
START 2 GHz, STOP 18 GHz, STEP 2 GHz
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
4
8
10
12
14
16
6
18
2
<Noise Parameters>
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
Freq (GHz)
NF
min
(dB)
G
a
(dB)
Γ
opt.
R
n
/50
Mag.
Ang. (deg.)
2.0
0.32
16.0
0.76
18
0.23
4.0
0.35
15.0
0.69
49
0.19
6.0
0.41
13.7
0.63
79
0.14
8.0
0.50
12.6
0.58
110
0.08
10.0
0.62
11.5
0.53
140
0.05
12.0
0.75
10.5
0.49
171
0.03
14.0
0.88
9.6
0.46
–158
0.07
16.0
1.02
8.8
0.43
–127
0.09
18.0
1.15
8.0
0.41
–97
0.16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE34018 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE34018-T1 SR BTS VERT LFT 4 ASY PLU
NE34018-T2 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE416 NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR
NE4210M01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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參數(shù)描述
NE33284A-T1 功能描述:MOSFET DISC BY CEL 01/02 84AS LO-NOISE HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE33284A-T1A 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE33300 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 14V V(BR)CEO | 200MA I(C) | CHIP
NE33353B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 14V V(BR)CEO | 200MA I(C) | FO-53VAR
NE33353E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 14V V(BR)CEO | 200MA I(C) | FO-53VAR
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