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參數(shù)資料
| 型號： | NE33200N |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SUPER LOW NOISE HJ FET |
| 中文描述： | 超低噪聲黃建忠場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | NE33200N |
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 26.5 GHz
V
DS
= 2 V, I
D
= 10, 20 mA
7/19/96
SCHEMATIC
NE33200
NE33200 LINEAR MODEL
LG
GATE
DRAIN
SOURCE
0.19
0.16
0.22
0.04
0.24
0.2
RG
RI
0.52
RS
0.19
LS
0.03
CDG
CGS
RDS
CDS
0.05
g
t
f= 281GHz
GGS
1E-5
CDC
0.065
RD
LD
Parameter
capacitance
inductance
resistance
conductance
Units
picofarads
nanohenries
ohms
millisiemans
UNITS
Parameters
2 V, 10 mA
2 V, 20 mA
g
t
RDS
73 mS
2.5 pSec
220 ohms
96 mS
3.5 pSec
160 ohms
BIAS DEPENDENT MODEL PARAMETERS
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PDF描述 |
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