參數(shù)資料
型號: NCP2890AFCT2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 2/16頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC AMP AUDIO POWER 1W 9-FLIPCHIP
標準包裝: 1
類型: AB 類
輸出類型: 1-通道(單聲道)
在某負載時最大輸出功率 x 通道數(shù)量: 1.08W x 1 @ 8 歐姆
電源電壓: 2.2 V ~ 5.5 V
特點: 消除爆音,差分輸入,短路和熱保護,關(guān)閉
安裝類型: 表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 9-覆晶
封裝/外殼: 9-WFBGA,F(xiàn)CBGA
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: NCP2890AFCT2GOSCT
NCP2890, NCV2890
http://onsemi.com
10
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Figure 31. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.2
0.7
0
0.1
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Figure 32. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.1
0.2
0.3
0
0.1
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Vp = 5 V
RL = 8 W
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
Vp = 3.3 V
RL = 8 W
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
Figure 33. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.25
0
0.05
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Figure 34. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.05
0.1
0.15
0.4
0
0.1
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Vp = 3 V
RL = 8 W
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
Figure 35. Power Derating 9Pin FlipChip CSP
0
20
160
700
0
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(mW)
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 36. Maximum Die Temperature versus
PCB Heatsink Area
50
100
250
180
40
60
DIE
TEMPERA
TURE
C)
@
AMBIENT
TEMPERA
TURE
25
°C
PCB HEATSINK AREA (mm2)
120
150
200
0.5
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2
0.4
0.5
0.1
100
200
300
400
500
600
80
100
160
140
PDmax = 633 mW
for Vp = 5 V,
RL = 8 W
0.2
0.3
0.4
0.6
0.05
0.15
0.25
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.05
0.2
0.15
0.3
0.25
0.35
Vp = 2.6 V
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
RL = 8 W
RL = 4 W
40
60
80
100
120
140
PCB Heatsink Area
500 mm2
50 mm2
200 mm2
300
Maximum Die Temperature 150
°C
Vp = 2.6 V
Vp = 5 V
Vp = 3.3 V
Vp = 4.2 V
RL = 8 W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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