參數(shù)資料
型號： NCP1578MNR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 20/22頁
文件大?。?/td> 1861K
描述： IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 20-QFN
產(chǎn)品變化通告： Product Obsolescence 19/Dec/2008
標準包裝： 4,000
拓撲： 降壓（降壓）同步（1），線性（LDO）（1）
功能： 任何功能
輸出數(shù)： 2
頻率 - 開關(guān)： 300kHz
電壓/電流 - 輸出 1： 控制器
電壓/電流 - 輸出 2： 5V，50mA
帶 LED 驅(qū)動器： 無
帶監(jiān)控器： 無
帶序列發(fā)生器： 是
電源電壓： 4.5 V ~ 24 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-QFN（4x4）
包裝： 帶卷 (TR)
NCP1578
http://onsemi.com
20
be connected to either PGND or AGND but not on
the both.
4.The ground terminals of input and output
capacitors, and the low-side MOSFET's source
pin should be connected to PGND ground plane
through (if necessary) multiple vias.
5.Noise sensitive traces such as traces of FB, COMP
and OCSET should be placed in order to prevent
from interference of high voltage switching signal
traces like SWN, VBST, TG and BG.
6.The feedback resistor divider should be placed as
close as possible to FB pin. The output voltage
sensing signal should be come up from the
separated noise free signal trace.
7.To minimize the effect of parasitic impedance,
traces between gate drivers to MOSFET's gates
should be as shortest as possible.
1
PGND
PGDLY
PGOOD
SS
COMP
OCSET
FOFF
EN_SW
FPWM
EN_LDO
2
3
4
5
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
20
19
18
17
16
L1
VO
3.3V, 5A
Cbst
0.1uF
NCP1578NMR2
Ccmp1
680pF
Ccmp2
2.7nF
Rcmp
2.7k
Cfb
10nF
100
Rfb1
Rfb2a
5.6k
Rfb3
1.8k
Cldo
1uF
Rldo
10
Ren_ldo
100k
Roc
4.7k
Coc
10nF
Css
82nF
Cpgdly
18nF
Cin1
10uF
Cin2
0.1uF
AGND PGND
M1
NTMS7N03R2
NTMS7N03R2
M2
2.2uH
Co1
180uF
Co2
180uF
Co3
1uF
D1
MBRM120L
Dbst
MBR0530T1
PGOOD
EN_SW
FPWM
Cvccp
1uF
Cvbat
1uF
VBAT
U1
Figure 37. Typical Application Schematic Diagram
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PDF描述
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NCP1580DR2G 功能描述:電壓模式 PWM 控制器 Low Voltage Synchronous Buck RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出端數(shù)量:1 拓撲結(jié)構(gòu):Buck 輸出電壓:34 V 輸出電流: 開關(guān)頻率: 工作電源電壓:4.5 V to 5.5 V 電源電流:600 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:WSON-8 封裝:Reel
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