參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512W3B3BZA1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 42/59頁(yè)
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND512W3B3BZA1F
47/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 29. Read Status Register AC Waveform
Figure 30. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: 1. Refer to Table 14. for the values of the Manufacturer and Device Codes, and to Table 15. for the information contained in Byte4.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h/ 72h/
73h/ 74h/ 75h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08666
(Data Setup time)
(Data Hold time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
ai08667
(Read ES Access time)
tALLRL1
00h
Byte4
Byte3
Byte1
Byte2
see Note.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GR4B3AV1F 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND08GR4B2AZC6E 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512R3B3CZA6 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W4A0AZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays
NAND64GAH0HZA5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel
NAND64GW3FGAZN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel
NAND98R3M0CZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
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