參數(shù)資料
型號： NAND512W3A0AZA1E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 37/57頁
文件大?。?/td> 916K
代理商： NAND512W3A0AZA1E
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
42/57
Figure 29. Page Read A/ Read B Operation AC Waveform
Note: Address cycle 4 is only required for 512Mb and 1Gb devices.
tEHEL
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWLWL
tWHBL
tALLRL2
00h or
01h
Data
N
Data
N+1
Data
N+2
Data
Last
tRHBL
tEHBH
tWHBH
tRLRL
tEHQZ
tRHQZ
ai08033b
Busy
Command
Code
Address N Input
Data Output
from Address N to Last Byte or Word in Page
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Read Cycle time)
tRLRH
tBLBH1
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PDF描述
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NAND512W3A2CE06 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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