參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512W3A0AN1
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 40/57頁
文件大小： 916K
代理商： NAND512W3A0AN1
45/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 32. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 512Mb and 1Gb devices only.
Figure 33. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A0CZB6 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128W4A0AZA1F 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128W4A2BZA1F 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND512W3A0AZA1E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512W3A2BN1E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel
NAND512W3A0AV6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND512W3A2BE06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER
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