參數(shù)資料
型號(hào): NAND512R4A2CZB6E
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: PROM
英文描述: 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
封裝: 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55
文件頁(yè)數(shù): 5/57頁(yè)
文件大小: 916K
代理商: NAND512R4A2CZB6E
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 8. FBGA63 Connections, x8 devices (Top view through package)
AI07586B
I/O7
WP
I/O4
I/O3
NC
VDD
I/O5
VDD
NC
H
VSS
I/O6
D
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CL
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NC
B
DU
NC
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NC
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3
2
1
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I/O0
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NC
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NC
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DU
NC
DU
I/O1
10
9
R
NC
VSS
DU
M
L
K
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R4A0BZA6 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
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NAND512R4A0CZA6T 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512R4A2CZB6F 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
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參數(shù)描述
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel
NAND512W3A0AV6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040