參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R4A0CZA6T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 17/57頁
文件大?。?/td> 916K
代理商： NAND512R4A0CZA6T
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
24/57
Figure 15. Sequential Row Read Operations
Figure 16. Sequential Row Read Block Diagrams
I/O
RB
Address Inputs
ai07597
1st
Page Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
2nd
Page Output
Nth
Page Output
Busy
tBLBH1
AI07598
Block
Area A
(1st half Page)
Read A Command, x8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
Read A Command, x16 Devices
Read B Command, x8 Devices
Read C Command, x8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
Block
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R4A2CZB6F 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
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NAND128W4A0AZA1F 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128W4A2BZA1F 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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