參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3A0CV1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
文件頁數(shù)： 30/57頁
文件大?。?/td> 916K
代理商： NAND512R3A0CV1F
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
36/57
Table 19. DC Characteristics, 3V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
10
20
mA
IDD2
Program
-
10
20
mA
IDD3
Erase
-
10
20
mA
IDD4
Stand-by Current (TTL),
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VIH, WP=0V/VDD
-
1
mA
Stand-by Current (TTL)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
2
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
Stand-By Current (CMOS)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
20
100
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
0.3
-
0.8
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = 400A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
2.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R3A0AN6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512R3A0AZA6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512R3A2AN6T 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512R3A2CN1F 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512R3A2AV1E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R3A2AZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 55VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND512R3A2BZA6E 功能描述:閃存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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