參數(shù)資料
型號(hào)： NAND128W4A2BZA1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
封裝： 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55
文件頁(yè)數(shù)： 27/57頁(yè)
文件大?。?/td> 916K
代理商： NAND128W4A2BZA1F
33/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
PROGRAM AND ERASE TIMES AND ENDURANCE CYCLES
The Program and Erase times and the number of
Program/ Erase cycles per block are shown in Ta-
Table 14. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
MAXIMUM RATING
Stressing the device above the ratings listed in Ta-
permanent damage to the device. These are
stress ratings only and operation of the device at
these or any other conditions above those indicat-
ed in the Operating sections of this specification is
not implied. Exposure to Absolute Maximum Rat-
ing conditions for extended periods may affect de-
vice
reliability.
Refer
also
to
the
STMicroelectronics SURE Program and other rel-
evant quality documents.
Table 15. Absolute Maximum Ratings
Note: 1. Minimum Voltage may undershoot to –2V for less than 20ns during transitions on input and I/O pins. Maximum voltage may over-
shoot to VDD + 2V for less than 20ns during transitions on I/O pins.
Parameters
NAND Flash
Unit
Min
Typ
Max
Page Program Time
200
500
s
Block Erase Time
2
3ms
Program/Erase Cycles (per block)
100,000
cycles
Data Retention
10
years
Symbol
Parameter
Value
Unit
Min
Max
TBIAS
Temperature Under Bias
–
50
125
°C
TSTG
Storage Temperature
–
65
150
°C
VIO
(1)
Input or Output Voltage
1.8V devices
–
0.6
2.7
V
3 V devices
–
0.6
4.6
V
VDD
Supply Voltage
1.8V devices
–
0.6
2.7
V
3 V devices
–
0.6
4.6
V
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PDF描述
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