參數(shù)資料
型號(hào)： NAND08GW4B3AZC6
廠商： NUMONYX
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 24/59頁(yè)
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND08GW4B3AZC6
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
30/59
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes three steps are re-
quired:
1.
one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
one Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
four Bus Read Cycles to sequentially output
the data (as shown in Table 14., Electronic
Table 14. Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte/Word 3
Byte/Word 4
Manufacturer Code
Device code
NAND512R3B
20h
A2h
Reserved
00h
Page Size
Spare Area size
Sequential Access Time
Block Size
Organization
NAND512W3B
F2h
NAND512R4B
0020h
B2h
NAND512W4B
C2h
NAND01GR3B
20h
A1h
NAND01GW3B
F1h
NAND01GR4B
0020h
B1h
NAND01GW4B
C1h
NAND02GR3B
20h
AAh
NAND02GW3B
DAh
NAND02GR4B
0020h
BAh
NAND02GW4B
CAh
NAND04GR3B
20h
ACh
NAND04GW3B
DCh
NAND04GR4B
0020h
BCh
NAND04GW4B
CCh
NAND08GR3B
20h
A3h
NAND08GW3B
D3h
NAND08GR4B
0020h
B3h
NAND08GW4B
C3h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GW4B3BN1T 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW4B3BN6E 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW4B3BN6T 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GR3B2AN1F 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GW4B2AN1E 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND128W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0AN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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