參數(shù)資料
型號: NAND08GR4B3BN1
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: PROM
英文描述: 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝: 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù): 9/59頁
文件大?。?/td> 998K
代理商: NAND08GR4B3BN1
17/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 8. Address Definitions, x8
Table 9. Address Definitions, x16
Address
Definition
A0 - A11
Column Address
A12 - A17
Page Address
A18 - A26
Block Address
512Mb device
A18 - A27
Block Address
1Gb device
A18 - A28
Block Address
2Gb device
A18 - A29
Block Address
4Gb device
A18 - A30
Block Address
8Gb device
Address
Definition
A0 - A10
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A17 - A25
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A17 - A28
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4Gb device
A17 - A29
Block Address
8Gb device
相關PDF資料
PDF描述
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NAND512W3B3BN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND08GW3B2AN6F 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays
NAND08GW3B2CN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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