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參數(shù)資料
| 型號： | NAND04GR4B3AN1 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 52/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | NAND04GR4B3AN1 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
56/59
Figure 42. LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Table 30. LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.400
0.0551
A1
0.250
0.0098
A2
0.800
0.0315
b
0.450
0.400
0.500
0.0177
0.0157
0.0197
D
8.500
8.400
8.600
0.3346
0.3307
0.3386
D1
4.000
0.1575
D2
7.200
0.2835
ddd
0.100
0.0039
E
15.000
14.900
15.100
0.5906
0.5866
0.5945
E1
5.600
0.2205
E2
8.800
0.3465
e
0.800
–
0.0315
–
FD
2.250
0.0886
FD1
0.650
0.0256
FE
4.700
0.1850
FE1
3.100
0.1220
SD
0.400
–
0.0157
–
SE
0.400
–
0.0157
–
E
D
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z59
ddd
FD1
D2
E2
e
FE
BALL "A1"
FE1
e
E1
D1
FD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND02GW3B3BZB1F | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND02GW3B3BN1F | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND02GW3B3CN6 | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND04GR3B3BN1F | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GW3B2AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays |
| NAND04GW3B2BE06 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND04GW3B2BN6E | 功能描述:閃存 NAND 4 Gb RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND04GW3B2BN6F | 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND04GW3B2BNDE | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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