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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GW4A2BV1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 40/57頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND01GW4A2BV1E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
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Figure 25. Data Input Latch AC Waveforms
Figure 26. Sequential Data Output after Read AC Waveforms
Note: 1. CL = Low, AL = Low, W = High.
tWHCLH
(CL Hold time)
CL
E
AL
W
I/O
(ALSetup time)
tWLWL
tWLWH
tWHEH
(E Hold time)
tWLWH
tWLWH
Data In 0
Data In 1
Data In
Last
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
ai08030
(Data Setup time)
(Data Hold time)
E
ai08031
R
I/O
RB
(Read Cycle time)
(R Accesstime)
tRHRL
(R High Holdtime)
tRLQV
Data Out
Data Out
Data Out
tRHQZ
tBHRL
tRLQV
tRHQZ
tEHQZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| NAND128R3A2BV1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW4A2BV1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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