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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR3B2CN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 1/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GR3B2CN6F |
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June 2009
Rev 4
1/65
1
NAND01GR3B2C NAND01GW3B2C
NAND01GR4B2C NAND01GW4B2C
1-Gbit, 2112-byte/1056-word page,
1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory
Features
■
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
■
Supply voltage: 1.8 V/3 V
■
Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
■
Block size
– x8 device: (128K + 4K spare) bytes
– x16 device: (64K + 2K spare) words
■
Page read/program
– Random access: 25 s (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program time: 200 s (typ)
■
Copy back program mode
■
Cache read mode
■
Fast block erase: 2 ms (typ)
■
Status register
■
Electronic signature
■
Chip enable ‘don’t care’
■
Security features
–OTP area
– Serial number (unique ID) option
– Non-volatile protection option
■
Data protection
– Hardware block locking
– Hardware program/erase locked during
power transitions
■
ONFI 1.0 support
– Cache read
– Read signature
– Read
■
Data integrity
– 100,000 program/erase cycles per block
(with ECC)
– 10 years data retention
■
RoHS compliant packages
■
Development tools
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
FBGA
TSOP48 12 x 20 mm
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm
Table 1.
Device summary
Reference
Root part numbers
NAND01G-B2C
NAND01GR3B2C, NAND01GW3B2C
NAND01GR4B2C, NAND01GW4B2C(1)
1.
x16 organization only available for MCP products.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3BV1T | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR3B3CV6 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2AN6F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND01GR3B2CZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR3B2CZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR3B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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