參數(shù)資料
型號： N2086NS090
廠商： WESTCODE SEMICONDUCTORS LTD
元件分類： 晶閘管
英文描述： 4207 A, 900 V, SCR
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： N2086NS090
WESTCODE An IXYS Company
Phase Control Thyristor Types N2086NS060 to N2086NS100
Data Sheet. Types N2086NS060 to N2086NS100 Issue 2.
Page 2 of 11
March, 2004
Characteristics
PARAMETER
MIN.
TYP.
MAX. TEST CONDITIONS (Note 1)
UNITS
-
1.12
ITM=2550A
VTM
Maximum peak on-state voltage
-
1.49
ITM=6250A
V
V0
Threshold voltage
-
0.84
V
rS
Slope resistance
-
0.108
m
dv/dt
Critical rate of rise of off-state voltage
1000
-
VD=80%VDRM, linear ramp, Gate o/c
V/
s
IDRM
Peak off-state current
-
100
Rated VDRM
mA
IRRM
Peak reverse current
-
100
Rated VRRM
mA
VGT
Gate trigger voltage
-
3.0
V
IGT
Gate trigger current
-
300
Tj=25°C, VD=10V, IT=3A
mA
VGD
Gate non-trigger voltage
-
0.25
Rated VDRM
V
IH
Holding current
-
1000
Tj=25°C
mA
tgd
Gate controlled turn-on delay time
-
0.8
1.5
tgt
Turn-on time
-
1.5
3.0
VD=67%VDRM, ITM=2000A, di/dt=10A/s,
IFG=2A, tr=0.5s, Tj=25°C
s
Qrr
Recovered Charge
-
1600
-
C
Qra
Recovered Charge, 50% chord
-
1100
1400
C
Irm
Reverse recovery current
-
120
-
A
trr
Reverse recovery time, 50% chord
-
18
-
ITM=1000A, tp=1000s, di/dt=10A/s,
Vr=50V
s
-
200
-
ITM=1000A, tp=1000s, di/dt=10A/s,
Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/s
tq
Turn-off time
-
300
-
ITM=1000A, tp=1000s, di/dt=10A/s,
Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=200V/s
s
--
0.024 Double side cooled
K/W
RthJK
Thermal resistance, junction to heatsink
--
0.048 Single side cooled
K/W
F
Mounting force
19
-
26
kN
Wt
Weight
-
510
-
g
Notes: -
1) Unless otherwise indicated Tj=125°C.
2) For other clamp forces, please consult factory.
相關PDF資料
PDF描述
N2367MK200 4642 A, 2000 V, SCR
N2367MK220 4642 A, 2200 V, SCR
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N2593MK140 5135 A, 1400 V, SCR
N2593MK160 5135 A, 1600 V, SCR
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參數(shù)描述
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