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NUD3105DMT1G

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  • 功能描述
  • MOSFET 5V Dual Integrated Relay Inductive Load
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
NUD3105DMT1G 技術(shù)參數(shù)
  • NUD3105DMT1 功能描述:MOSFET 5V Dual Integrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUD3048MT1G 功能描述:MOSFET 100V 700mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUD3048MT1 功能描述:MOSFET 100V 700mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUCLEO-L4R5ZI 功能描述:MCU EVAL TOOLS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NUCLEO-L496ZG-P 功能描述:NUCLEO DEV BOARD STM32L496ZG-P 制造商:stmicroelectronics 系列:STM32L4 零件狀態(tài):在售 板類型:評(píng)估平臺(tái) 類型:MCU 32-位 核心處理器:ARM? Cortex?-M4 操作系統(tǒng):- 平臺(tái):Nucleo 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:STM32L496ZG-P, 支持 mbed 的開發(fā) 安裝類型:固定 內(nèi)容:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NUD3124LT1G NUD3160DMT1 NUD3160DMT1G NUD3160LT1 NUD3160LT1G NUD4001DEVB NUD4001DGEVB NUD4001DR2 NUD4001DR2G NUD4011DR2 NUD4011DR2G NUD4301MNT1G NUD4700SNT1G NUD4700WSNT1G NUE NUF2015W1T2G NUF2030XV6T1 NUF2030XV6T1G
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