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NUD4001DGEVB

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  • NUD4001DGEVB
    NUD4001DGEVB

    NUD4001DGEVB

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • ON SEMICONDUCTOR

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

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  • 代理渠道可追溯現貨庫存F

  • NUD4001DGEVB
    NUD4001DGEVB

    NUD4001DGEVB

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON Semiconductor

  • 標準封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
NUD4001DGEVB PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
NUD4001DGEVB 技術參數
  • NUD3160LT1G 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUD3160LT1 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUD3160DMT1G 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUD3160DMT1 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUD3124LT1G 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUF2030XV6T1 NUF2030XV6T1G NUF2042XV6T1 NUF2042XV6T1G NUF2070MNT1G NUF2101MT1 NUF2101MT1G NUF2114MNT1G NUF2116MNT1G NUF2220XV6T1 NUF2221W1T2 NUF2221W1T2G NUF2222FCT1G NUF2230XV6T1 NUF2230XV6T1G NUF2240W1T1 NUF2240W1T1G NUF2441FCT1
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