參數資料
型號: MZ0912B350Y
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: L BAND, Si, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數: 1/1頁
文件大?。?/td> 18K
代理商: MZ0912B350Y
相關PDF資料
PDF描述
P0703HD2 1-OUTPUT 2 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
P0703HD3 1-OUTPUT 3 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
P10-20/4 SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, XMA
P10-10/4 SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, XMA
P10-3/4 SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, XMA
相關代理商/技術參數
參數描述
MZ0912B50Y 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
MZ0912B50Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ0912B50Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ1.0GD100V-2.5 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
MZ1.0GD10V-25 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE