參數(shù)資料
型號： MXSMBJ28CAE3TR
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： MXSMBJ28CAE3TR
SURFACE MOUNT 600 Watt
Transient Voltage Suppressor
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ5.0 thru SMBJ170A, CA, e3
and SMBG5.0 thru SMBG170A, CA, e3
SMB5.0–
170AC,
e3
GRAPHS
50
30
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
P
PP
–
Peak
Pulse
Power
–
kW
TC = 25
oC
0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
1000
10,000
Test waveform parameters: tr=10
μs, tw=1000 μs
tw – Pulse Width -
μs
FIGURE 2
FIGURE 1
Pulse Waveform for
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Exponential Surge
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 -
Derating Curve
FIGURE 4
Typical Capacitance vs Breakdown Voltage
PAD LAYOUT
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2005
8-04-2005 REV G
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
A
B
C
D
E
F
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
SMBJ
SMBG
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關PDF資料
PDF描述
MXSMBJ30CAE3TR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
MXSMBJ33CAE3TR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
MXSMBJ48CAE3TR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
MXSMBJ6.0AE3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
MXSMBJ6.5CAE3TR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MXSMBJ2K3.0 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:3V 電壓 - 擊穿（最小值）:4.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:2000W（2kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1
MXSMBJ2K3.0E3 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:3V 電壓 - 擊穿（最小值）:4.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:2000W（2kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1
MXSMBJ2K3.3 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:3.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:4.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.8V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:2000W（2kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1
MXSMBJ2K3.3E3 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:3.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:4.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.8V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:2000W（2kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1
MXSMBJ2K4.0 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 2KW UNIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA
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