| 型號: | MWI50-06A7T |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類: | IGBT 晶體管 |
| 英文描述: | IGBT Modules |
| 中文描述: | 72 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝: | MODULE-17 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 120K |
| 代理商: | MWI50-06A7T |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI50-12A5 | IGBT Modules Sixpack |
| MWI50-12A7 | IGBT Modules Sixpack |
| MWI50-12A7T | IGBT Modules Sixpack |
| MWI75-06A7 | MWI75-06A7 |
| MWI75-06A7T | MWI75-06A7 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MWI50-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
| MWI50-12A7 | 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MWI50-12A7T | 功能描述:IGBT 模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MWI50-12E6K | 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MWI50-12E7 | 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |