- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄53845 > MUR1100-BP (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MUR1100-BP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 332K |
| 代理商： | MUR1100-BP |
MUR105
THRU
MUR1100
1 Amp Super Fast
Recovery Rectifier
50 to 1000 Volts
Features
Super Fast Switching Speed For High Efficiency
Marking:TypeNumber
Operating Temperature: -50
°C to +150°C
Storage Temperature: -50
°C to +150°C
MCC
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
MUR105
50V
35V
50V
MUR110
100V
70V
100V
MUR115
150V
105V
150V
MUR120
200V
140V
200V
MUR140
400V
280V
400V
MUR160
600V
420V
600V
MUR180
800V
560V
800V
MUR1100
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
1 A
TA = 55
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
35A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
MUR105-115
MUR120-160
MUR180-1100
VF
.975V
1.35V
1.75V
IFM = 1.0A;
TA = 25
°C
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5
A
50
A
TA = 25
°C
TA = 150
°C
Maximum Reverse
Recovery Time
MUR105-120
MUR140-160
MUR180-1100
Trr
45ns
60ns
75ns
IF=0.5A, IR=1.0A,
Irr=0.25A
Typical Junction
Capacitance
CJ
20pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
DO-41
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.166
.205
4.10
5.20
B
.080
.107
2.00
2.70
C
.028
.034
.70
.90
D
1.000
---
25.40
---
A
B
C
D
Cathode
Mark
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
TM
Micro Commercial Components
Maximum Ratings
Revision: A
2011/01/01
www.mccsemi.com
1 of 4
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Note:
1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR140-TP | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MUR140-BP | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MUR405-BP | 4 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| MUR410-BP | 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| MUR405-TP | 4 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUR1100E | 功能描述:整流器 1000V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MUR1100EG | 功能描述:整流器 1000V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MUR1100EG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FAST RECOVERY DIODE 1A 1KV AXIAL |
| MUR1100ERL | 功能描述:整流器 1000V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MUR1100ERLG | 功能描述:整流器 1000V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。