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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN52xxT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅偏置電阻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | MUN52XXT1 |
MUN5211T1 Series
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MUN5214T1
10
1
0.10
10
20
30
40
50
100
10
10
2
4
6
8
10
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
00
2
4
6
8
10
15
20
25 30
35
40
45
50
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
I
h
Figure 17. V
CE(sat)
versus I
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
VC
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
25
°
C
25
°
C
T
A
=75
°
C
V
CE
= 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15
20 40
50 60 70 80
90
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
25
°
C
I
C
/I
B
= 10
T
A
=25
°
C
T
A
=75
°
C
25
°
C
25
°
C
V
O
= 0.2 V
T
A
=25
°
C
75
°
C
V
O
= 5 V
25
°
C
75
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5214T1G | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5215T1G | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5236T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5237T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5235T1G | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5311DW | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5311DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5311DW1T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5311DW1T1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5311DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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