參數(shù)資料
型號(hào): MUN5236DW1T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
中文描述: 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù): 2/20頁
文件大小: 151K
代理商: MUN5236DW1T1
MUN5211DW1T1 Series
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Package
Marking
R1 (K)
R2 (K)
Shipping
MUN5211DW1T1
SOT363
7A
10
10
3000/Tape & Reel
MUN5212DW1T1
SOT363
7B
22
22
3000/Tape & Reel
MUN5213DW1T1
SOT363
7C
47
47
3000/Tape & Reel
MUN5214DW1T1
SOT363
7D
10
47
3000/Tape & Reel
MUN5215DW1T1
SOT363
7E
10
3000/Tape & Reel
MUN5216DW1T1
SOT363
7F
4.7
3000/Tape & Reel
MUN5230DW1T1
SOT363
7G
1.0
1.0
3000/Tape & Reel
MUN5231DW1T1
SOT363
7H
2.2
2.2
3000/Tape & Reel
MUN5232DW1T1
SOT363
7J
4.7
4.7
3000/Tape & Reel
MUN5233DW1T1
SOT363
7K
4.7
47
3000/Tape & Reel
MUN5234DW1T1
SOT363
7L
22
47
3000/Tape & Reel
MUN5235DW1T1
SOT363
7M
2.2
47
3000/Tape & Reel
MUN5236DW1T1
SOT363
7N
100
100
3000/Tape & Reel
MUN5237DW1T1
SOT363
7P
47
22
3000/Tape & Reel
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3.) (I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
3. Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
V
(BR)CEO
50
Vdc
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PDF描述
MUN5235DW1 Dual Bias Resistor Transistors
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參數(shù)描述
MUN5236DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5236T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5236T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5237 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN5237DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor