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參數資料
| 型號： | MUN5234DW1T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN |
| 文件頁數： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | MUN5234DW1T1G |
MUN5211DW1T1 Series
http://onsemi.com
16
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5234DW1T1
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Figure 52. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 53. DC Current Gain
Figure 54. Output Capacitance
Figure 55. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 56. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
30
25
15
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
1000
10
1
0.001
V
C
,
h
F
,
C
o
,
I
C
,
V
i
,
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
0.01
20
100
TBD
TBD
TBD
5
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 10 V
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MUN5234T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5234T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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| MUN5235DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
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