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參數資料
| 型號： | MUN5215T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | MUN5215T1G |
MUN5211T1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MUN5211T1
V
I
h
Figure 2. V
CE(sat)
versus I
C
10
0
20
30
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
T
A
=25
°
C
75
°
C
25
°
C
40
50
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
1
0.1
0.01
0.001
0
20
40
50
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1000
100
101
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
A
=75
°
C
25
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
25
°
C
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
75
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
5
6
7
8
9
10
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Co
75
°
C
V
CE
= 10 V
f = 1 MHz
I
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
I
C
/I
B
= 10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5236T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5237T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5235T1G | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5232T1G | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5233T1G | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MUN5216DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5216DW1T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5216T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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