參數(shù)資料
型號： MUN5137DW1T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/20頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： MUN5137DW1T1G
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
(Note 4) (Continued)
Input Resistor
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
k
Resistor Ratio
MUN5111DW1T1/MUN5112DW1T1/
MUN5113DW1T1/MUN5136DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1/MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5137DW1T1
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
4. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
Figure 1. Derating Curve ALL DEVICES
300
200
150
100
50
0
50
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
R
JA
= 490
°
C/W
250
P
D
,
ALL MUN5111DW1T1 SERIES DEVICES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN5111DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5112DW1T1 PC Board Fuse; Current Rating:400mA-10A; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Size/Group:Subminiature; Fuse Type:Fast Acting; Interrupting Current Max:50A; Packaging:Bulk; Voltage Rating:125V RoHS Compliant: Yes
MUN5113DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5114DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5116DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN5137T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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MUN5138T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistors Switching - Resistor Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
MUN5140T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
MUN5141T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
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